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ThetaMetrisis 膜厚儀應(yīng)用說明

更新時間:2022-08-13  |  點(diǎn)擊率:2577

ThetaMetrisis 膜厚儀應(yīng)用說明#050

應(yīng)用微間距覆晶解決方案應(yīng)用銅柱凸塊新封裝技術(shù)系列激光加工/切割冷卻液水溶性保護(hù)膜(HogoMax)厚度測量應(yīng)用。

膜厚儀原理.png

1、介紹:

    隨著芯片制程逐漸微縮到28奈米,凸塊尺寸同樣減小,銅柱凸塊成為繼銅打線封裝制程后新的封裝技術(shù)變革.與錫鉛凸塊比較,銅柱凸塊具有較佳的效能及較低的整體封裝成本。銅柱凸塊應(yīng)用于覆晶封裝上連結(jié)芯片和與載板的技術(shù)適合用于高階芯片封裝,例如應(yīng)用處理器、微處理器、基頻芯片、繪圖芯片等。

    用於半導(dǎo)體激光加工/切割工藝的高純度水溶性保護(hù)膜(PVA(聚乙烯醇,polyvinylalcohol)樹脂)具有以下優(yōu)點(diǎn):

1.HogoMax是一種水溶性樹脂,可防止顆粒粘附到晶圓表面

2.通過使用旋涂機(jī)將HogoMax應(yīng)用于激光加工表面,可以大da減少碎屑的粘附,從而提高設(shè)備的可靠性。

3.此外,激光加工后的薄膜只需用去離子水清洗即可去除。

因此控制HogoMax薄膜厚度均勻性對于激光加工/切割工藝至為重要

    HogoMax(PVA)水溶性保護(hù)膜作用示意圖

水溶性保護(hù)膜作用示意圖.png

內(nèi)容引用DISCO公司網(wǎng)站

2、目的和方法:

被測量的樣品是一個380X380mm表面帶有旋涂HogoMax薄膜12吋晶圓樣品。本公司集成ThetametrisisFR-MicVIS/NIR膜厚測量儀+電動XY平臺同時測量包括圖案內(nèi),晶圓切割處邊緣以及銅柱凸塊等區(qū)域.該機(jī)型光譜范圍為370nm-1020nm,能夠測量15nm至90um的涂層厚度.

3、測量結(jié)果:

在下面的圖像中,HogoMax和Polyimde層的理論值(紅線)和樣品表面反射光譜(綠線)與厚度分布圖一并呈現(xiàn)說明,如FR-Scanner軟件上所見,樣品經(jīng)過數(shù)次重復(fù)性掃描測量以確定工具的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性,并得出右側(cè)統(tǒng)計數(shù)據(jù).

測量結(jié)果.png

測量厚度為HogoMax~1.5um+Polyimde4.36um(反射率光譜發(fā)現(xiàn)兩種頻率分別為PVA和下層Polyimde)

4、結(jié)論:

    使用FR-Mic成功的測量12吋晶圓樣品的HogoMax層的厚度。通過厚度測量并分析統(tǒng)計區(qū)域的厚度分布和均勻性,快速且無損地測量了薄膜厚度以保護(hù)陶瓷部件在等離子腔體中不受損壞。FR-Scanner是一種快速、準(zhǔn)確測量大面積或預(yù)選位置上薄膜或疊層薄膜解決方案.

機(jī)臺配置ThetametrisisFR-MicVIS/NIR膜厚測量儀+電動XY平臺

 

5、量測界面

    單層PI量測:Polyimde7.799um也可以量測銅柱頂端厚度